Herstellungsverfahren einer Heterostruktur

EP1763069 Art B1 13. April 2016

Anmelder: Soitec, S.O.I.TEC. Silicon on Insulator Technologies S.A. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1763069
Aktenzeichen: EP05291841
Anmeldetag: 7. September 2005
Veröffentlichung: 13. April 2016
Erteilung: 13. April 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I.TEC. Silicon on Insulator Technologies S.A.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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