Gaas-Substratreinigungsverfahren, Gaas -Substratherstellungsverfahren, Herstellungsverfahren für ein Epitaxialsubstrat und Gaas-Wafer
EP1763071
Art A1
14. März 2007
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1763071
- Aktenzeichen
- EP05734547
- Anmeldetag
- 25. April 2005
- Veröffentlichung
- 14. März 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/304
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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