Verfahren zum Herstellen von engen Graben in dielektrischen Materialien
EP1764830
Art B1
25. Januar 2012
Anmelder: IMEC, INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC) 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1764830
- Aktenzeichen
- EP05447238
- Anmeldetag
- 21. Oktober 2005
- Veröffentlichung
- 25. Januar 2012
- Erteilung
- 25. Januar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/3105H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC) - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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Vertreten von
Van Malderen, Joëlle
Liège, Belgien
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