Räumlich-Versorgter Hochleistungsverstärker mit profilierten Reflektoren
EP1764915
Art B1
31. Juli 2013
Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1764915
- Aktenzeichen
- EP06120940
- Anmeldetag
- 20. September 2006
- Veröffentlichung
- 31. Juli 2013
- Erteilung
- 31. Juli 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03F3/60H03F3/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- RAYTHEON COMPANY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Vertreten von
Mossmark, Anders Lennart
Göteborg, Schweden
97
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23
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9
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