Räumlich-Versorgter Hochleistungsverstärker mit profilierten Reflektoren

EP1764915 Art B1 31. Juli 2013

Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1764915
Aktenzeichen
EP06120940
Anmeldetag
20. September 2006
Veröffentlichung
31. Juli 2013
Erteilung
31. Juli 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H03F3/60H03F3/24
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
RAYTHEON COMPANY
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

4.186 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen