Hybride Epitaxie-Unterlage und Herstellungsverfahren dafür
EP1766676
Art A1
28. März 2007
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1766676
- Aktenzeichen
- EP05775231
- Anmeldetag
- 2. Juni 2005
- Veröffentlichung
- 28. März 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762C30B33/00C30B29/36C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Desormiere, Pierre-Louis
Paris, Frankreich
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