Nitridhalbleitersubstrat und Verfahren zum Verarbeiten eines Nitridhalbleitersubstrats

EP1768181 Art A1 28. März 2007

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1768181
Aktenzeichen
EP06017375
Anmeldetag
21. August 2006
Veröffentlichung
28. März 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/544C30B23/02C30B29/40
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen