Nitridhalbleitersubstrat und Verfahren zum Verarbeiten eines Nitridhalbleitersubstrats
EP1768181
Art A1
28. März 2007
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1768181
- Aktenzeichen
- EP06017375
- Anmeldetag
- 21. August 2006
- Veröffentlichung
- 28. März 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/544C30B23/02C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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