Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Halbleiter-Bauelements
EP1768194
Art B1
27. Juli 2011
Anmelder: SANYO ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1768194
- Aktenzeichen
- EP06254913
- Anmeldetag
- 22. September 2006
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2011
- Erteilung
- 27. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00H01L21/68H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SANYO ELECTRIC CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sanyo Electric
Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.
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Vertreten von
Calderbank, Thomas Roger
London, Großbritannien
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