Halbleiterbauelement mit einer Passivierungsschicht und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP1771879 Art B1 2. Januar 2019

Anmelder: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung der angewand ten Forschung e.v. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1771879
Aktenzeichen: EP05774258
Anmeldetag: 25. Juli 2005
Veröffentlichung: 2. Januar 2019
Erteilung: 2. Januar 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/29H01L31/0304H01L31/103H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung der angewand ten Forschung e.v.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

10.123 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von