Herstellungsverfahren für ein Silizid-Gate
EP1772898
Art A1
11. April 2007
Anmelder: IMEC, TEXAS INSTRUMENTS INC., INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC) 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1772898
- Aktenzeichen
- EP05447225
- Anmeldetag
- 6. Oktober 2005
- Veröffentlichung
- 11. April 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
TEXAS INSTRUMENTS INC.
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC) - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Vertreten von
Van Malderen, Joëlle
Liège, Belgien
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