Herstellungsverfahren für ein Silizid-Gate

EP1772899 Art A1 11. April 2007

Anmelder: IMEC, INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC) 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1772899
Aktenzeichen: EP06121483
Anmeldetag: 29. September 2006
Veröffentlichung: 11. April 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IMEC
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC)
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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