Herstellungsverfahren für eine Mehrschichtige Struktur mit Trennschicht
EP1774579
Art B1
16. Mai 2012
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies, Bruel, Michel 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1774579
- Aktenzeichen
- EP05773255
- Anmeldetag
- 20. Mai 2005
- Veröffentlichung
- 16. Mai 2012
- Erteilung
- 16. Mai 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/324H01L21/762H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Bruel, Michel - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
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Fachgebiete
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