Ätzverfahren für Mesaisolierung von Halbleiterstrukturen mit Antimonbasierter Verbindung
EP1776714
Art A2
25. April 2007
Anmelder: Northrop Grumman Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1776714
- Aktenzeichen
- EP05803227
- Anmeldetag
- 22. Juli 2005
- Veröffentlichung
- 25. April 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/306
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Northrop Grumman Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Northrop Grumman
US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.
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