Verfahren zur Bildung einer Gateelektrode mit einem Metall
EP1776715
Art B1
19. Juni 2013
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1776715
- Aktenzeichen
- EP05728396
- Anmeldetag
- 22. März 2005
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2013
- Erteilung
- 19. Juni 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L21/3205H01L21/4763H01L21/28H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette