Verfahren zur Herstellung eines Verdrahtungssubstrats eines Halbleiterbauteils mit Aussenkontaktanschlussflecken für Aussenkontakte
EP1779428
Art B1
27. Mai 2015
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1779428
- Aktenzeichen
- EP05770056
- Anmeldetag
- 20. Juli 2005
- Veröffentlichung
- 27. Mai 2015
- Erteilung
- 27. Mai 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/498H01L23/00H05K1/02H05K1/11
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Schäfer, Horst
München, Deutschland
141
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23
Fachgebiete
8
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Schwerpunkte
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