Halbleiterbauelement und zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1780589
Art A3
16. Oktober 2013
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1780589
- Aktenzeichen
- EP07002101
- Anmeldetag
- 11. April 2000
- Veröffentlichung
- 16. Oktober 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/336H01L29/423H01L29/49G02F1/1362H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
4.187 Patente in unserer Datenbank