Verfahren zur Herstellung eines Gebondeten Wafers
EP1780794
Art B1
15. Januar 2020
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1780794
- Aktenzeichen
- EP05749050
- Anmeldetag
- 10. Juni 2005
- Veröffentlichung
- 15. Januar 2020
- Erteilung
- 15. Januar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/12H01L21/02H01L21/265H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
Merkle, Gebhard
München, Deutschland
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Ter Meer Steinmeister & Partner
Ter Meer Steinmeister & Partner · München