Verfahren zur Herstellung eines Gebondeten Wafers

EP1780794 Art B1 15. Januar 2020

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1780794
Aktenzeichen
EP05749050
Anmeldetag
10. Juni 2005
Veröffentlichung
15. Januar 2020
Erteilung
15. Januar 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/12H01L21/02H01L21/265H01L21/762
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

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