Integrierter Dram-Nvram-Mehrstufenspeicher
EP1782427
Art B1
19. September 2012
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1782427
- Aktenzeichen
- EP05786226
- Anmeldetag
- 16. August 2005
- Veröffentlichung
- 19. September 2012
- Erteilung
- 19. September 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
5.073 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
Patente gesamt
33
Fachgebiete
38
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Thévenet, Jean-Bruno
NoneParis