Verfahren zur Bildung einer Halbleiterregion des P-Typs und Halbleiterelement

EP1783824 Art A1 9. Mai 2007

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1783824
Aktenzeichen: EP05768364
Anmeldetag: 2. August 2005
Veröffentlichung: 9. Mai 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/268H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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