Dram-Transistor mit einem in das Substrat Eingelassenem Gate und Herstellungsverfahren dafür
EP1784858
Art A2
16. Mai 2007
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1784858
- Aktenzeichen
- EP05792363
- Anmeldetag
- 29. August 2005
- Veröffentlichung
- 16. Mai 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L27/108H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Beresford, Keith Denis Lewis
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Lorenz, Markus
Lorenz & Kollegen · Heidenheim