Verfahren zum Herstellen von ersten und zweiten unterschiedlichen, aktiven Halbleiterzonen und Verwendung für die Herstellung von CMOS-Strukturen
EP1786026
Art B1
31. Juli 2013
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, STMICROELECTRONICS S.A., ST MICROELECTRONICS S.A., COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1786026
- Aktenzeichen
- EP06354035
- Anmeldetag
- 31. Oktober 2006
- Veröffentlichung
- 31. Juli 2013
- Erteilung
- 31. Juli 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
STMICROELECTRONICS S.A.
ST MICROELECTRONICS S.A.
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Hecké, Gérard
Grenoble, Frankreich
573
Patente gesamt
30
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte