Siliziumoxidfilm-Erzeugungsverfahren, Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Computerspeichermedium

EP1786030 Art A1 16. Mai 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1786030
Aktenzeichen: EP05781277
Anmeldetag: 30. August 2005
Veröffentlichung: 16. Mai 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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