Halbleiterbauteil und Methode zur Herstellung desselben

EP1788512 Art A1 23. Mai 2007

Anmelder: Renesas Technology Corp., Hitachi, Ltd., Hitachi ULSI Systems Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1788512
Aktenzeichen
EP07003853
Anmeldetag
28. Dezember 2001
Veröffentlichung
23. Mai 2007
Rechtsraum
EP
IPC
G06K17/00G06K19/00G06K19/077
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Renesas Technology Corp.
Hitachi, Ltd.
Hitachi ULSI Systems Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

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🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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