Halbleiterbauteil und Methode zur Herstellung desselben
EP1788512
Art A1
23. Mai 2007
Anmelder: Renesas Technology Corp., Hitachi, Ltd., Hitachi ULSI Systems Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1788512
- Aktenzeichen
- EP07003853
- Anmeldetag
- 28. Dezember 2001
- Veröffentlichung
- 23. Mai 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06K17/00G06K19/00G06K19/077
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Renesas Technology Corp.
Hitachi, Ltd.
Hitachi ULSI Systems Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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Johnson, Richard Alan
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