Vorrichtung und Verfahren zur Substratbehandlung

EP1788615 Art A3 24. August 2011

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, E-Beam Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1788615
Aktenzeichen
EP06255848
Anmeldetag
15. November 2006
Veröffentlichung
24. August 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/00H01L21/683
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
TOKYO ELECTRON LIMITED
E-Beam Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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