Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit selbst justierten Doppel-Gates durch Schrumpfung der Gatestruktur
EP1788635
Art B1
16. Juli 2008
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1788635
- Aktenzeichen
- EP06124271
- Anmeldetag
- 17. November 2006
- Veröffentlichung
- 16. Juli 2008
- Erteilung
- 16. Juli 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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Poulin, Gérard
Paris, Frankreich
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