Verfahren für das Herstellen von einer Siliziumdioxidenschicht
EP1789999
Art B1
7. Juni 2017
Anmelder: Soitec, ASM INTERNATIONAL N.V., S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1789999
- Aktenzeichen
- EP04765971
- Anmeldetag
- 16. September 2004
- Veröffentlichung
- 7. Juni 2017
- Erteilung
- 7. Juni 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02C23C16/40H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
ASM INTERNATIONAL N.V.
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
801 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Bomer, Françoise Marie
Saint-Grégoire, Frankreich
76
Patente gesamt
17
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes