Verfahren für das Herstellen von einer Siliziumdioxidenschicht
EP1789999
Art B1
7. Juni 2017
Anmelder: Soitec, ASM INTERNATIONAL N.V., S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1789999
- Aktenzeichen
- EP04765971
- Anmeldetag
- 16. September 2004
- Veröffentlichung
- 7. Juni 2017
- Erteilung
- 7. Juni 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02C23C16/40H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
ASM INTERNATIONAL N.V.
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Bomer, Françoise Marie
Saint-Grégoire, Frankreich
76
Patente gesamt
17
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes