Halbleiterbauelement mit einem Gate-Dielektrikum mit Hohem K und Metall-Gate-Elektrode
EP1790006
Art B1
24. August 2011
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1790006
- Aktenzeichen
- EP05770566
- Anmeldetag
- 8. Juli 2005
- Veröffentlichung
- 24. August 2011
- Erteilung
- 24. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Vertreten von
Dunlop, Hugh Christopher
Basingstoke, Großbritannien
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