Leistungshalbleiterbauelement
EP1790013
Art A1
30. Mai 2007
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc., Centre National de la Recherche Scientifique 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1790013
- Aktenzeichen
- EP04765803
- Anmeldetag
- 31. August 2004
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L29/08H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
Centre National de la Recherche Scientifique - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
7.147 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette