Leistungshalbleiterbauelement
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc., Centre National de la Recherche Scientifique 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1790013
- Aktenzeichen
- EP04765803
- Anmeldetag
- 31. August 2004
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L29/08H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
Centre National de la Recherche Scientifique - Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.629 Patente in unserer Datenbank
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.413 Patente in unserer Datenbank
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
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Fachgebiete
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette