Nitridhalbleitereinkristall mit Gallium, Herstellungsverfahren dafür sowie Substrat und Vorrichtung mit dem Kristall
EP1790759
Art A1
30. Mai 2007
Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1790759
- Aktenzeichen
- EP05768533
- Anmeldetag
- 5. August 2005
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/40C23C16/01
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Chemical Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.
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Naylor, Matthew John
London, Großbritannien
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