Verfahren zur Herstellung eines Substrats, insbesondere für optische, elektronische oder optoelektronische Anwendungen, und mittels dieses Verfahrens erhaltenes Substrat
EP1791170
Art B1
1. April 2009
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1791170
- Aktenzeichen
- EP07100845
- Anmeldetag
- 26. November 2001
- Veröffentlichung
- 1. April 2009
- Erteilung
- 1. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20C30B25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Bomer, Françoise Marie
Saint-Grégoire, Frankreich
76
Patente gesamt
17
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte