Transistorstruktur mit hoher Eingangsimpedanz und hohem Stromvermögen und zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1791181
Art B1
3. Februar 2010
Anmelder: STMicroelectronics S.r.l., STMicroelectronics Srl 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1791181
- Aktenzeichen
- EP05425835
- Anmeldetag
- 25. November 2005
- Veröffentlichung
- 3. Februar 2010
- Erteilung
- 3. Februar 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/07H01L21/8249H01L27/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics S.r.l.
STMicroelectronics Srl - Land
- 🇮🇹 Italien
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
2.334 Patente in unserer Datenbank
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Bartle, Robin Jonathan
Liverpool, Großbritannien
449
Patente gesamt
29
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Cerbaro, Elena
Studio Torta S.p.A · Torino