Verfahren zum Erhalten einer Dünnen Schicht durch Implemenieren von Coimplantation und Nachfolgender Implantation
EP1792339
Art A1
6. Juni 2007
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1792339
- Aktenzeichen
- EP04787559
- Anmeldetag
- 21. September 2004
- Veröffentlichung
- 6. Juni 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes