Verfahren zur Gleichzeitigen Rekristallisierung und Dotierung von Halbleiterschichten und nach Diesem Verfahren Hergestellte Halbleiterschichtsysteme

EP1792349 Art B1 30. März 2011

Anmelder: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1792349
Aktenzeichen: EP05791311
Anmeldetag: 14. September 2005
Veröffentlichung: 30. März 2011
Erteilung: 30. März 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/18H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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