Sti-Graben mehrerer Tiefen bei der Herstellung Integrierter Schaltungen
EP1794788
Art A2
13. Juni 2007
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1794788
- Aktenzeichen
- EP05791186
- Anmeldetag
- 25. August 2005
- Veröffentlichung
- 13. Juni 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
Patente gesamt
33
Fachgebiete
38
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Weitere Vertreter
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Joly, Jean-Jacques
NoneParis