Verfahren zur Bildung eines Halbleiterbauelements mit einem Verspannten Kanal und Heteroübergangs-Source/drain
EP1797583
Art A2
20. Juni 2007
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1797583
- Aktenzeichen
- EP05794211
- Anmeldetag
- 31. August 2005
- Veröffentlichung
- 20. Juni 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/44H01L21/338H01L21/336H01L21/331H01L21/8222H01L21/3205H01L21/4763
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Vertreten von
Wharmby, Martin Angus
Gif-sur-Yvette, Frankreich
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