Herstellungsverfahren von Halbleitervorrichtungen mit ionimplantierten Gebieten und Schutzschichten
EP1798762
Art B1
23. Januar 2013
Anmelder: Cree, Inc., Cree Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1798762
- Aktenzeichen
- EP06126051
- Anmeldetag
- 13. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2013
- Erteilung
- 23. Januar 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/265H01L21/335// H01L29/20H01L29/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Cree, Inc.
Cree Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
1.232 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Cross, Rupert Edward Blount
London, Großbritannien
2.091
Patente gesamt
33
Fachgebiete
17
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Johnstone, Douglas Ian
Baron Warren Redfern · Brentford