Verfahren zum Formen von Silizium-Germanium-Schichten bei niedriger Temperatur, um den Spannungsgradient zu bestimmen
EP1801067
Art A3
9. Mai 2012
Anmelder: IMEC, American University Cairo, Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1801067
- Aktenzeichen
- EP06026404
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 9. Mai 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
American University Cairo
Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
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Bird, William Edward
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