Sicherungsspeicherzelle mit einer Diode als Sicherungselement

EP1803129 Art A2 4. Juli 2007

Anmelder: SanDisk 3D LLC, Matrix Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1803129
Aktenzeichen
EP05800174
Anmeldetag
28. September 2005
Veröffentlichung
4. Juli 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/525H01L27/102// G11C17/16
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
SanDisk 3D LLC
Matrix Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

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