Verfahren zur Herstellung von Aln-Einkristall und Aln-Einkristall

EP1806439 Art A1 11. Juli 2007

Anmelder: NGK Insulators, Ltd., NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1806439
Aktenzeichen
EP05778521
Anmeldetag
5. September 2005
Veröffentlichung
11. Juli 2007
Rechtsraum
EP
IPC
C30B29/38C30B11/06C30B9/10C30B19/02C30B29/40
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
NGK Insulators, Ltd.
NGK INSULATORS, LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

3.021 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik
Vertreten von
Naylor, Matthew John London, Großbritannien
1.221
Patente gesamt
34
Fachgebiete
13
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Schwerpunkte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente Anorganische Chemie & Werkstoffe Verfahrens- & Trenntechnik Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen) Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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