Siliziumnitridschicht für eine Lichtemittierende Vorrichtung, Lichtemittierende Vorrichtung damit und Verfahren zur Erzeugung einer Siliziumnitridschicht für eine Lichtemittierende Vorrichtung

EP1807880 Art A1 18. Juli 2007

Anmelder: Electronics and Telecommunications Research Institute, ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1807880
Aktenzeichen: EP05820423
Anmeldetag: 4. November 2005
Veröffentlichung: 18. Juli 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Electronics and Telecommunications Research Institute
ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 ETRI (Electronics and Telecommunications Research Institute)

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon. Forscht in Telekommunikation, Halbleitertechnik, künstlicher Intelligenz, Rundfunktechnik und Informations- und Kommunikationstechnologien.

3.041 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von