Siliziumcarbid-Mos-Feldeffekttransistor und Prozess zu Seiner Herstellung
EP1814162
Art A1
1. August 2007
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1814162
- Aktenzeichen
- EP05788237
- Anmeldetag
- 30. September 2005
- Veröffentlichung
- 1. August 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/04H01L29/10H01L29/06H01L29/24// H01L29/417H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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Vertreten von
Smith, Norman Ian
London, Großbritannien
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