Verfahren zur Erzeugung eines Silizium-Auf-Isolator-Halbleiterbauelements mit einer Siliziumschicht mit Verschiedenen Kristallorientierungen
EP1815520
Art B1
2. Mai 2012
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1815520
- Aktenzeichen
- EP05812444
- Anmeldetag
- 12. Oktober 2005
- Veröffentlichung
- 2. Mai 2012
- Erteilung
- 2. Mai 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/04H01L29/786H01L27/12H01L21/84H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Brookes IP
Brookes IP · Tunbridge Wells
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Brookes Batchellor LLP
Brookes Batchellor LLP · London