Mosfet für Hochspannungsanwendungen und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP1815527
Art B1
23. Mai 2012
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1815527
- Aktenzeichen
- EP05791157
- Anmeldetag
- 13. Oktober 2005
- Veröffentlichung
- 23. Mai 2012
- Erteilung
- 23. Mai 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.929 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven