Verfahren zur Bildung eines Transistors mit einem Doppelschicht-Dielektrikum
EP1815528
Art A1
8. August 2007
Anmelder: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P., Hewlett-Packard Development Company, L.P. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1815528
- Aktenzeichen
- EP05801056
- Anmeldetag
- 21. September 2005
- Veröffentlichung
- 8. August 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L29/49H01L21/336H01L21/445
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
Hewlett-Packard Development Company, L.P. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Hewlett-Packard
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Palo Alto, Kalifornien. Aktiv in Computerhardware, Druckern, Speicherlösungen sowie Unternehmens-IT und Cloud-Infrastruktur.
13.594 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Pratt, Richard Wilson
London, Großbritannien
690
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29
Fachgebiete
13
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Durville, Guillaume
NoneBarcelona
-
Jackson, Richard Eric
NoneLondon