Flashspeicher mit reduziertem Drainstress

EP1816652 Art B1 3. Juni 2009

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l., STMicroelectronics Srl 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1816652
Aktenzeichen
EP06101314
Anmeldetag
6. Februar 2006
Veröffentlichung
3. Juni 2009
Erteilung
3. Juni 2009
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/10
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
STMicroelectronics S.r.l.
STMicroelectronics Srl
Land
🇮🇹 Italien
🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

2.334 Patente in unserer Datenbank

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

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