Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP1817796 Art B1 3. April 2013

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1817796
Aktenzeichen: EP05811206
Anmeldetag: 28. November 2005
Veröffentlichung: 3. April 2013
Erteilung: 3. April 2013
Rechtsraum: EP
IPC: G06K19/07H01L27/10H01L27/28H01L51/05

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

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