Niedrige Einschaltspannung, Nichtelektronensperrende Doppel-Hbt-Struktur
EP1817797
Art A2
15. August 2007
Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation, NORTHROP GRUMMAN CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1817797
- Aktenzeichen
- EP05851905
- Anmeldetag
- 18. November 2005
- Veröffentlichung
- 15. August 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/737H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Northrop Grumman Systems Corporation
NORTHROP GRUMMAN CORPORATION - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Northrop Grumman
US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.
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