Herstellungsverfahren für Gruppe-Iii-Nitrid-Einkristall
EP1818430
Art B1
10. April 2013
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1818430
- Aktenzeichen
- EP05759959
- Anmeldetag
- 13. Juli 2005
- Veröffentlichung
- 10. April 2013
- Erteilung
- 10. April 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/38C30B19/02C30B19/04C30B13/02C30B9/06C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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