Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherelement und Herstellungsverfahren dafür

EP1818989 Art A3 1. Dezember 2010

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1818989
Aktenzeichen: EP07001473
Anmeldetag: 24. Januar 2007
Veröffentlichung: 1. Dezember 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/423H01L21/28H01L27/115H01L21/8247H01L27/12H01L21/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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