GaN-Kristallsubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP1821339 Art B1 12. Oktober 2016

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1821339
Aktenzeichen: EP07000261
Anmeldetag: 8. Januar 2007
Veröffentlichung: 12. Oktober 2016
Erteilung: 12. Oktober 2016
Rechtsraum: EP
IPC: G01B11/30H01L21/02H01L21/306C30B25/20C30B29/40H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

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