Transistoren mit Vergrabenen N- und P-Regionen unter der Source-Region und Herstellungsverfahren dafür
EP1825517
Art B1
8. April 2009
Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1825517
- Aktenzeichen
- EP05803118
- Anmeldetag
- 4. Oktober 2005
- Veröffentlichung
- 8. April 2009
- Erteilung
- 8. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/08H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Cree, Inc.
CREE, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
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Townsend, Stephen
Redhill, Großbritannien
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